专利详情

专利名称	NAND结构及其形成方法
申请号	CN200910241209.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102074562A	公开（授权）日	2011.05.25
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	梁擎擎;钟汇才;朱慧珑
主分类号	H01L27/115(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	NAND结构及其形成方法至NAND结构及其形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提出一种与非门NAND结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的栅绝缘层；形成在所述衬底中的源区和漏区；形成在所述栅绝缘层之上的中间栅极，和位于所述中间栅极两侧的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和第二栅极与所述中间栅极之间设有第一侧墙，所述第一栅极和第二栅极的外侧设有第二侧墙，其中，所述中间栅极之上设置有第一接触孔区，所述第一栅极和第二栅极之上分别设置有第二接触孔区，所述第一接触孔区和第二接触孔区交错排列。本发明提出的新型的NAND结构及形成该NAND结构的方法，通过该NAND结构可以有效缩小芯片面积30-50％左右。