专利详情

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN200910238768.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102074479A	公开（授权）日	2011.05.25
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	骆志炯;尹海洲;朱慧珑
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I
专利有效期	半导体器件及其制造方法至半导体器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明的制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底中形成包括栅极、源极和漏极区的晶体管结构；执行第一硅化处理，以在源极和漏极区上形成第一金属硅化物层；在衬底上沉积第一介电层，该第一介电层的顶部与栅极区的顶部持平；在第一介电层中与源极和漏极区相对应的部位形成接触孔；以及执行第二硅化处理，以在栅极区、接触孔中形成第二金属硅化物，其中，第一金属硅化物层使得源极和漏极区避免在第二硅化处理时再次发生硅化反应。根据本发明，不仅可以降低栅电阻，而且能够降低在栅与源/漏上形成接触孔时RIE工艺中的困难。