专利详情

专利名称	掺杂的低温相偏硼酸钡单晶体、其制备方法及其变频器件
申请号	CN200880129907.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102076892A	公开（授权）日	2011.05.25
申请（专利权）人	中国科学院福建物质结构研究所	发明（设计）人	陈长章;洪茂椿;李定;林海南;蔡诗聪
主分类号	C30B29/22(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/22(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B17/00(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I
专利有效期	掺杂的低温相偏硼酸钡单晶体、其制备方法及其变频器件至掺杂的低温相偏硼酸钡单晶体、其制备方法及其变频器件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及人工晶体领域，尤其涉及低温相偏硼酸钡掺杂单晶体及其生长方法和变频器件。采用熔盐法生长。该单晶完全克服了BBO潮解性强的缺点，几乎不潮解；其倍频效应和光损伤阈值相对于BBO有较大提高；硬度显著增大，该单晶体的肖氏硬度为101.3，莫氏硬度为6，而BBO的肖氏硬度为71.2，莫氏硬度为4。从可见一紫外光区透过率曲线测试，该单晶体的截止波长为190nm，开始吸收波长为205nm。这些优于BBO的性能，可能使BBSAG在激光非线性光学领域、紫外、深紫外变频器件方面，有广阔的前景。