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一种Si3N4-Si2N2O复相陶瓷材料及其制备方法

  • 申请号:CN201110106707.7
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 公开(公开)号:CN102229498A
  • 公开(公开)日:2011.11.02
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 一种Si3N4-Si2N2O复相陶瓷材料及其制备方法
申请号 CN201110106707.7 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102229498A 公开(授权)日 2011.11.02
申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 刘茜;周遥;周虎;钟红梅
主分类号 C04B35/584(2006.01)I IPC主分类号 C04B35/584(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期 一种Si3N4-Si2N2O复相陶瓷材料及其制备方法 至一种Si3N4-Si2N2O复相陶瓷材料及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种两相比例可调的Si3N4-Si2N2O复相陶瓷材料及其制备方法。所述材料是由Si3N4和Si2N2O两相组成,且两相的重量百分比在86.64∶13.36~67.66∶32.34范围内可调。所述材料的制备方法包括:利用有序介孔二氧化硅和有机小分子碳源为原料,通过纳米浇注制得介孔碳/氧化硅复合物;将制得的介孔碳/氧化硅复合物进行碳热还原氮化反应,制得含碳Si3N4-Si2N2O复合粉体;将制得的含碳Si3N4-Si2N2O复合粉体在空气中煅烧除去残留碳,冷却。本发明制得的Si3N4-Si2N2O复相陶瓷材料能够满足于制备具有一定强度、韧性及抗氧化性能的热防护陶瓷材料的要求,可广泛应用于航天、冶金及化工等领域。

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