
具有绒面的铜铟镓硒薄膜电池及其制备方法
- 申请号:CN201110179746.X
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院深圳先进技术研究院
- 公开(公开)号:CN102231398A
- 公开(公开)日:2011.11.02
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 具有绒面的铜铟镓硒薄膜电池及其制备方法 | ||
申请号 | CN201110179746.X | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102231398A | 公开(授权)日 | 2011.11.02 |
申请(专利权)人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明(设计)人 | 李玉飞;肖旭东;宋秋明;杨春雷;卢兰兰 |
主分类号 | H01L31/052(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/052(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
专利有效期 | 具有绒面的铜铟镓硒薄膜电池及其制备方法 至具有绒面的铜铟镓硒薄膜电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜电池及其制备方法。该铜铟镓硒薄膜电池,包括依次叠合的玻璃衬底、金属背电极层、光吸收层、缓冲层、阻挡层及窗口层,所述玻璃衬底、金属背电极层、光吸收层、缓冲层、阻挡层及窗口层的表面均为粗糙度相同的绒面。上述铜铟镓硒薄膜电池的玻璃衬底表面为绒面,生长得到的薄膜电池表面不平整,从而起到陷光作用。当太阳光入射时,由于绒面结构的存在,其入射光会与电池表面形成一定角度,从而增加光生载流子在P-N结区产生的几率,最终提高光生电流。 |
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