专利详情

专利名称	薄膜型太阳能电池表面自对准电极的制造方法
申请号	CN201110193085.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102231411A	公开（授权）日	2011.11.02
申请（专利权）人	中国科学院深圳先进技术研究院	发明（设计）人	李玉飞;肖旭东;杨春雷;宋秋明
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	薄膜型太阳能电池表面自对准电极的制造方法至薄膜型太阳能电池表面自对准电极的制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种薄膜型太阳能电池表面自对准电极的制造方法，在衬底上依次制作形成金属背电极层、光吸收层、缓冲层、高阻层及导电窗口层，并在相应位置开设沟槽，可以得到串联设置的太阳能电池组件。通过采用电镀工艺在第二沟槽的槽底电镀一层用于降低第二沟槽高宽比的金属层，从而使透明电极层更加均匀，电子运输时损耗更小。第二沟槽的槽底为金属背电极层，而采用电镀工艺，可以在直接在槽底的金属背电极层上形成金属层，避免在窗口层等位置也引入金属层而影响太阳能电池的效率。