一种硅基介质膜的制备方法
- 申请号：CN201010560932.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电工研究所
- 公开(公开)号：CN102080244A
- 公开(公开)日：2011.06.01
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种硅基介质膜的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201010560932.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102080244A | 公开（授权）日 | 2011.06.01 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 张俊;王文静;周春兰 |
| 主分类号 | C25D11/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C25D11/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种硅基介质膜的制备方法 至一种硅基介质膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种用于光伏电池的硅基介质膜的制备方法，首先对硅基衬底(100)进行III族元素或金属元素的掺杂，然后采用阳极氮化方法制备出含III族氮化物或金属氮化物的SiN薄膜(104)，再经退火处理，即可得到所需薄膜。本发明所制备的硅基介质膜可用于光伏电池的减反钝化膜或背反钝化膜。 | ||
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