专利详情

专利名称	一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法
申请号	CN201010532715.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102082144A	公开（授权）日	2011.06.01
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	黄晓橹;魏星;程新红;陈静;张苗;王曦
主分类号	H01L27/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/02(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I
专利有效期	一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法至一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种SOI电路中的ESD保护结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底以及位于SOI衬底上的栅控二极管ESD保护器件，其中，所述栅控二极管ESD保护器件包括：正极、负极、沟道、栅介质层和栅极；所述正极和负极分别位于沟道两端，所述栅介质层和栅极依次位于沟道之上；所述沟道由N型区和P型区组成，且所述N型区与P型区形成纵向的PN结结构。本发明通过离子注入形成纵向大面积PN结进行ESD设计，大大增加了PN结面积，提高了大电流释放能力，实现了与体硅ESD电路相媲美的集成度，改善了SOI电路中ESD的鲁棒性。其制造工艺成本低，与传统SOI电路完全兼容。