
二维空心球有序结构阵列及其制备方法
- 申请号:CN200910185811.2
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院合肥物质科学研究院
- 公开(公开)号:CN102079505A
- 公开(公开)日:2011.06.01
- 法律状态:授权
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专利详情
专利名称 | 二维空心球有序结构阵列及其制备方法 | ||
申请号 | CN200910185811.2 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102079505A | 公开(授权)日 | 2011.06.01 |
申请(专利权)人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明(设计)人 | 段国韬;罗媛媛;刘广强;吕方景;蔡伟平 |
主分类号 | B82B1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B82B1/00(2006.01)I;B81B7/04(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
专利有效期 | 二维空心球有序结构阵列及其制备方法 至二维空心球有序结构阵列及其制备方法 | 法律状态 | 授权 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种二维空心球有序结构阵列及其制备方法。阵列为导电衬底上置有有序六方排列的单层空心球阵列,单层空心球阵列中的空心球的球外直径为220nm~10.8μm,球的外表面为粗糙面,空心球由金属金内壁和其上覆有的金属金或聚吡咯或硫化镉或氧化锌构成,粗糙面由颗粒状物或竖立的棒状物构成;方法为先对其上置有单层胶体晶体模板的导电衬底进行离子溅射沉积金膜,得到金膜壁阵列,再将附有金膜壁阵列的导电衬底置于电解液中,于沉积电流密度为-1.0~1.0mA/cm2下电沉积10s~3h,得到复合体阵列,然后将复合体阵列置于二氯甲烷溶剂中去除聚苯乙烯胶体球,制得二维空心球有序结构阵列。它可广泛地用于药物工程、化妆品、生物科技、光催化及光子器件等领域。 |
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