专利详情

专利名称	一种近场聚焦波束形成定位法
申请号	CN201010534438.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101995574A	公开（授权）日	2011.03.30
申请（专利权）人	中国科学院声学研究所	发明（设计）人	曾雄飞;黄海宁;孙贵青;李峥
主分类号	G01S15/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01S15/02(2006.01)I;G01S15/89(2006.01)I;G01S7/41(2006.01)I
专利有效期	一种近场聚焦波束形成定位法至一种近场聚焦波束形成定位法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种近场聚焦波束形成定位法，该方法基于扩展拖曳阵被动合成孔径方法先得到虚拟阵列各阵元接收的信号在所要处理的频带范围[fmin，fmax]内的频域响应，然后，利用近场聚焦波束形成定位法对目标进行精确定位；其中，频带范围[fmin，fmax]根据实际需要进行选取，只需满足fmin＞0，fmax不大于数据采样率的一半即可。本发明将扩展拖曳阵被动合成孔径方法与近场聚焦波束形成定位方法有效地结合在一起，同时获取二者带来的好处。另外，波束形成运算在频域实现，将宽带信号分解为多个频点信号，对信号频带范围内的每个频点进行处理，最后将结果累加，处理性能如稳健性、分辨率等比直接在时域处理要更为优越。