专利详情

专利名称	一种超高强度超高导电性纳米孪晶铜材料及制备方法
申请号	CN200310104274.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1498987	公开（授权）日	2004.05.26
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	卢磊;斯晓;申勇峰;卢柯
主分类号	C25C1/12	IPC主分类号	C25C1/12
专利有效期	一种超高强度超高导电性纳米孪晶铜材料及制备方法至一种超高强度超高导电性纳米孪晶铜材料及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及纳米晶体金属材料，具体地说是一种超高强度超高导电性纳米孪晶铜材料及制备方法。利用电解沉积技术制备，制备出高纯度的多晶体Cu材料，其微观结构由近于等轴的亚微米300～1000nm晶粒组成，在晶粒内部存在高密度的不同取向的孪晶片层结构，取向相同的孪晶片层之间相互平行，孪晶片层的厚度从几个纳米到100nm，其长度为100～ 500nm。本发明与现有技术相比，性能优异。该材料室温拉伸时屈服强度可达900MPa，断裂强度可达1086MPa，这种超高强度是在利用其它多种方法制备的相同化学成分的铜材料所不可及的。同时，低温电阻测试发现，该材料的导电能力非常好，接近于普通粗晶体铜材料的导电率，其室温电阻率为1.75±0.02×10^－8Ω·m，相当于96％IACS。