专利详情

专利名称	分离纳米材料及制作纳米电极的方法
申请号	CN200910079281.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101823687A	公开（授权）日	2010.09.08
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	李无瑕;顾长志
主分类号	B82B3/00(2006.01)I	IPC主分类号	B82B3/00(2006.01)I
专利有效期	分离纳米材料及制作纳米电极的方法至分离纳米材料及制作纳米电极的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种分离纳米材料的方法，所述纳米材料为一维纳米材料，所述分离纳米材料的方法包括如下步骤：1)将纳米材料固定在样品台上，获取所述纳米材料与衬底的夹角；2)根据所述纳米材料与衬底的夹角，调整衬底与水平面和离子束入射方向之间的夹角；3)以步骤2)所确定的纳米材料与衬底的位置，对所述纳米材料进行成像，根据成像结果划定切割区域；4)以步骤2)所确定的纳米材料与衬底的位置，利用离子束对切割区域进行切割扫描，直至纳米材料被切断。与现有的纳米材料与衬底分离的方法相比，本发明避免了对纳米材料的破坏与机械损伤；并且可在双束SEM/FIB或单束FIB系统上一次性完成，具有时间及成本优势。