专利详情

专利名称	一种二氧化碲单晶体的坩埚下降生长技术
申请号	CN03141999.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1487126	公开（授权）日	2004.04.07
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	葛增伟;吴国庆;储耀卿;殷学技;唐林跃;赵寒冰;顾李臻
主分类号	C30B29/16	IPC主分类号	C30B29/16;C30B15/00
专利有效期	一种二氧化碲单晶体的坩埚下降生长技术至一种二氧化碲单晶体的坩埚下降生长技术	法律状态	授权
说明书摘要	一种二氧化碲单晶体的坩埚下降法生长技术，属于晶体生长领域。其特征在于采用以粉末为原料直接装埚入炉及在坩埚下降生长晶体的过程中持续升温至1300℃～1400℃ 的方法，坩埚下降的速率为每小时0.6～1.0mm。本技术克服了背景技术中压块装料、下降过程单一降温技术导致的易穿漏、成品率低和晶体厚度小的缺点。可生长出厚度超过60mm、尺寸大于(60×60×60)mm的优质大单晶。穿漏率＜1％，成品率提高。纯度高(含Ur、Th达到1×10^－12)、晶体透明(无气泡，无包裹体，无裂纹)，能满足国际、国内对大尺寸优质二氧化碲单晶体的需求。