专利详情

专利名称	一种超高真空多功能综合测试系统
申请号	CN201010171385.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101846635A	公开（授权）日	2010.09.29
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	杨晋玲;刘云飞;解婧;杨富华
主分类号	G01N21/84(2006.01)I	IPC主分类号	G01N21/84(2006.01)I;G01R31/00(2006.01)I;G01N35/00(2006.01)I
专利有效期	一种超高真空多功能综合测试系统至一种超高真空多功能综合测试系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于微纳器件表面处理、表面修饰、原位表征的超高真空多功能综合测试系统，包括：第一超高真空室；第二超高真空室，该第二超高真空室与第一超高真空室真空密封连接；常压室，该常压室与第二超高真空室真空密封连接；以及一系统支架，该系统支架为一矩形框架；其中，该第一超高真空室、第二超高真空室和常压室固定于该系统支架，形成超高真空测试系统。利用本发明，实现了将微纳器件表面处理、表面修饰、原位机械性能表征和电学性能测试等功能的集成，避免了因处理后的样品表面在传递和测试过程中被再次污染而造成测试结果的严重偏差，为清晰准确地研究表面损失对器件机械及电学性能的影响提供了保证。