专利详情

专利名称	γ－LiAlO₂/α－Al₂O₃复合衬底材料的制备方法
申请号	CN03129602.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1476047	公开（授权）日	2004.02.18
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	徐军;王海丽;周圣明;杨卫桥;彭观良;周国清;蒋成勇;宋词;杭寅;司继良;赵广军
主分类号	H01L21/00	IPC主分类号	H01L21/00;H01L33/00
专利有效期	γ－LiAlO₂/α－Al₂O₃复合衬底材料的制备方法至γ－LiAlO₂/α－Al₂O₃复合衬底材料的制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	一种γ－LiAlO₂/α－Al₂O₃复合衬底材料的制备方法，包括如下具体步骤：在铂金坩埚内，放置有带气孔的LiAlO₂和Li₂O混合料块；将双面抛光或单面抛光的蓝宝石α－Al₂O₃晶片置于或悬于铂金丝上，加上覆盖有LiAlO₂和Li₂O混合粉料和热电偶的坩埚盖，坩埚顶部加铂金盖密闭，置于电阻炉中；该电阻炉加热升温至1000～1400℃左右，恒温20～100小时，Li₂O扩散到α－Al₂O₃晶片中，降温后可得到LiAlO₂/α－Al₂O₃复合衬底材料。本发明克服了α－Al₂O₃衬底晶格失配度大和难以获得大尺寸高质量LiAlO₂单晶衬底等问题，可用于生长高质量InN－GaN薄膜外延生长。

交易流程

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