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离子束辅助多弧离子镀真空镀膜机

  • 申请号:CN200920350080.8
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司
  • 公开(公开)号:CN201614404U
  • 公开(公开)日:2010.10.27
  • 法律状态:授权
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 离子束辅助多弧离子镀真空镀膜机
申请号 CN200920350080.8 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN201614404U 公开(授权)日 2010.10.27
申请(专利权)人 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 发明(设计)人 张健;孟凡荣;张军;周景玉;佟辉
主分类号 C23C14/24(2006.01)I IPC主分类号 C23C14/24(2006.01)I
专利有效期 离子束辅助多弧离子镀真空镀膜机 至离子束辅助多弧离子镀真空镀膜机 法律状态 授权
说明书摘要 本实用新型涉及真空镀膜设备,具体地说是一种离子束辅助多弧离子镀真空镀膜机,包括真空室、真空抽气系统及机架,真空室安装在机架上,真空抽气系统与真空室密封连接;所述真空室内设有与其密封连接的中心转轴,中心转轴的底端与安装在机架上的驱动电机的输出轴相连接;所述中心转轴的两侧对称设有安装在真空室内壁的离子束和弧源,中心转轴上设有与其共同转动的工件架;该工件架位于离子束和弧源的下方。本实用新型在真空室内安装了离子源和弧源,提高了圆柱靶材的利用率;在镀膜时离子源和弧源同时工作,利用离子源提高工作气体的离化率,对薄膜的光洁度和附着力有很大的提高。

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