专利详情

专利名称	离子束辅助多弧离子镀真空镀膜机
申请号	CN200920350080.8	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN201614404U	公开（授权）日	2010.10.27
申请（专利权）人	中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司	发明（设计）人	张健;孟凡荣;张军;周景玉;佟辉
主分类号	C23C14/24(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/24(2006.01)I
专利有效期	离子束辅助多弧离子镀真空镀膜机至离子束辅助多弧离子镀真空镀膜机	法律状态	授权
说明书摘要	本实用新型涉及真空镀膜设备，具体地说是一种离子束辅助多弧离子镀真空镀膜机，包括真空室、真空抽气系统及机架，真空室安装在机架上，真空抽气系统与真空室密封连接；所述真空室内设有与其密封连接的中心转轴，中心转轴的底端与安装在机架上的驱动电机的输出轴相连接；所述中心转轴的两侧对称设有安装在真空室内壁的离子束和弧源，中心转轴上设有与其共同转动的工件架；该工件架位于离子束和弧源的下方。本实用新型在真空室内安装了离子源和弧源，提高了圆柱靶材的利用率；在镀膜时离子源和弧源同时工作，利用离子源提高工作气体的离化率，对薄膜的光洁度和附着力有很大的提高。