专利详情

专利名称	一种原位制备太阳能电池的方法
申请号	CN201010274489.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101950779A	公开（授权）日	2011.01.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;嘉兴科民电子设备技术有限公司	发明（设计）人	夏洋;刘邦武;李超波;刘杰;汪明刚;李勇滔
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种原位制备太阳能电池的方法至一种原位制备太阳能电池的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种原位制备太阳能电池的方法，属于太阳能电池制造技术领域。所述制备方法包括：对硅片进行预处理；将经预处理后的硅片放置于等离子体浸没离子注入机的注入腔室内，利用等离子体浸没离子注入工艺，完成黑硅的制备，在所述黑硅上制作PN结和形成钝化层；将已完成PN结制作和钝化层形成的黑硅从等离子体浸没离子注入机取出，在黑硅的背面制备金属背电极，在钝化层上制备金属栅极，经封装后制成太阳能电池。本发明原位制备太阳能电池的方法能够在原位实现黑硅制备、PN结制作和钝化层成形，从而大大减少了制备太阳能电池所需的设备，大幅降低了太阳能电池的制作成本，并且工艺过程简单，易于控制。