专利详情

专利名称	实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法
申请号	CN201010220390.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101950723A	公开（授权）日	2011.01.19
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈静;伍青青;罗杰馨;肖德元;王曦
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法至实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种实现源体欧姆接触的SOI?MOS器件制作方法，先制作栅区，进行高剂量的源区和漏区轻掺杂，形成较高浓度的轻掺杂N型源区和轻掺杂N型漏区，之后在栅区周围制备侧墙隔离结构，进行源区和漏区离子注入，通过一道在源区位置设有开口的掩膜版，倾斜的进行重掺杂P离子注入，从而在源区与体区之间形成重掺杂的P型区，最后在源区的部分表面形成一层金属，通过热处理使金属与其下的Si材料反应生成硅化物。本发明通过硅化物与其旁边的重掺杂P区形成欧姆接触，释放SOI?MOS器件在体区积累的空穴，从而抑制SOIMOS器件的浮体效应，并具有不增加芯片面积，制造工艺简单与常规CMOS工艺相兼容等优点。