专利详情

专利名称	一种金属单晶横向晶体取向的控制方法
申请号	CN02132531.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN1465754	公开（授权）日	2004.01.07
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	郑启;孙晓峰;侯桂臣;管恒荣;胡壮麒
主分类号	C30B11/00	IPC主分类号	C30B11/00;B22D27/04
专利有效期	一种金属单晶横向晶体取向的控制方法至一种金属单晶横向晶体取向的控制方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及金属单晶的制备技术，具体地说是一种金属单晶横向晶体取向的控制方法。在单晶炉中，设置有选晶器、起晶器，应用选晶法生长单晶铸件；其中：所述起晶器采用具有一对较长、相对平行对边的矩形或类矩形横截面，从而引入附加的定向横向热场，控制晶体生长过程中单晶横向晶体取向，运用常规熔模精铸方法造型，浇注液态金属，在单晶炉中生长单晶。本发明能在晶体生长过程中通过引入附加的定向横向热场，结合晶体生长择优取向的特征，控制单晶横向晶体取向。