专利详情

专利名称	超导台阶结制备方法
申请号	CN201010202118.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101894906A	公开（授权）日	2010.11.24
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	尤立星;王兴;谢晓明;江绵恒
主分类号	H01L39/24(2006.01)I	IPC主分类号	H01L39/24(2006.01)I
专利有效期	超导台阶结制备方法至超导台阶结制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种超导台阶结的制备方法，其特征在于采用高温超导单晶代替超导薄膜，将超导单晶通过连续剥离的方法实现厚度为几十到几百纳米厚的超薄单晶，再将所述的超薄单晶附着于台阶衬底之上；利用台阶衬底和超导单晶之间的强互相吸引力，使所述的超薄超导单晶紧密附着于衬底之上，使所述的超薄超导单晶在衬底台阶附近呈现台阶结构，最后再利用微加工工艺构造微桥结构，成为一定宽度的超导台阶结。包括以下步骤：1)台阶衬底制备；2)超导单晶薄片的剥离并吸附于台阶衬底；3)保护和选择；4)台阶结制备。本发明无需复杂的薄膜生长工艺，采用非常少量的超导单晶即可实现；单晶材料的超导性能要比薄膜材料好。