专利详情

专利名称	一种基于PIN异质结构的碳化硅基紫外探测材料的制备方法
申请号	CN201010219623.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101894887A	公开（授权）日	2010.11.24
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	梁爽;梅增霞;梁会力;崔秀芝;杜小龙
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种基于PIN异质结构的碳化硅基紫外探测材料的制备方法至一种基于PIN异质结构的碳化硅基紫外探测材料的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种p型6H-SiC(0001)衬底上基于PIN异质结构的紫外探测材料的制备方法，制备过程依次分为以下几步：在超高真空环境下热处理获得清洁表面，沉积10～100nm厚的金属氧化物绝缘层，高温沉积BeO缓冲层，仅在生长n-MgZnO单晶薄膜时采用，生长n-ZnO或n-MgZnO外延层。利用该方法，可以在目前已被大功率器件广泛使用的6H-SiC衬底上制备出具有重大应用价值的ZnO基紫外探测材料，进一步推动基于ZnO的紫外波段光电器件的应用。因此，本发明具有重大的工业应用价值。