专利详情

专利名称	一种Ⅲ族氮化物纳米阵列结构太阳能电池的制作方法
申请号	CN201010196477.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101894884A	公开（授权）日	2010.11.24
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	郑新和;唐龙娟;杨辉
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种Ⅲ族氮化物纳米阵列结构太阳能电池的制作方法至一种Ⅲ族氮化物纳米阵列结构太阳能电池的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示了一种Ⅲ族氮化物纳米阵列结构太阳能电池的制作方法，包括步骤：Ⅰ、对GaN样品台面进行第一次刻蚀，形成台阶状的样品结构；Ⅱ、在台阶上方的p区或n区的台面上制作微结构掩模层并进行第二次台面刻蚀形成纳米柱阵列，同时露出与台阶下方台面相一致的n区或p区；Ⅲ、对带纳米柱阵列的GaN样品旋涂填充物，使之平面化；Ⅳ、在对应于纳米柱阵列的平面化GaN样品表面制作电流扩展层；Ⅴ、在电流扩展层表面及台阶下方台面上沉积金属，制作n/p电极。本发明基于传统工艺作出调整，能有效避免台阶下方电极区粗糙，使淀积的金属粘附性增强，不易剥落；提高了电学连接的稳定性和器件的可靠性；同时该制作方法还具有简单快捷，普适性强的特点。