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紫外-红外双波段探测器及其制作方法

  • 申请号:CN200910084157.6
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
  • 公开(公开)号:CN101894831A
  • 公开(公开)日:2010.11.24
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 紫外-红外双波段探测器及其制作方法
申请号 CN200910084157.6 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101894831A 公开(授权)日 2010.11.24
申请(专利权)人 中国科学院半导体研究所 发明(设计)人 颜廷静;种明;苏艳梅;林孟喆;王晓勇
主分类号 H01L25/04(2006.01)I IPC主分类号 H01L25/04(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L31/09(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期 紫外-红外双波段探测器及其制作方法 至紫外-红外双波段探测器及其制作方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供一种紫外-红外双波段探测器及其制作方法,其中紫外-红外双波段探测器,包括:一紫外波段探测器;一红外波段探测器,该红外波段探测器通过金属键合工艺与紫外波段探测器倒装互连在一起,该紫外波段探测器与红外波段探测器的一侧对齐。本发明提供的紫外-红外双波段探测器及其制作方法,可以实现紫外和红外双波段同时探测,目标信息更加丰富,提高了器件的实用性。同时,材料生长及器件制作工艺简单,有利于器件的焦平面化。

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