专利详情

专利名称	多层堆叠电阻转换存储器的制造方法
申请号	CN201010206329.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101894771A	公开（授权）日	2010.11.24
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张挺;宋志棠;刘波;封松林
主分类号	H01L21/60(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/60(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I
专利有效期	多层堆叠电阻转换存储器的制造方法至多层堆叠电阻转换存储器的制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示了一种多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，包括如下步骤：制造半导体第一晶圆；制造半导体第二晶圆；键合第一晶圆和第二晶圆；沉积第一电极材料；通过半导体工艺，在原第一晶圆顶部镶嵌的第一位线上方形成对应的多层结构单元；沉积绝缘介质材料；在所述基底上通过半导体工艺制造沟槽；填充存储材料，并进行回刻工艺，仅保留沟槽内的存储材料；填充第三金属材料层，并进行化学机械抛光平坦化，原位地、免光刻地在沟槽内形成第二字/位线。本发明提出的多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，通过键合法实现多层堆叠电阻转换存储器的制造，工艺与电阻转换存储器工艺兼容，而且具有良好的可靠性。