专利详情

专利名称	钙钛矿结构高居里温度无铅压电陶瓷及其制备方法
申请号	CN200910051651.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101891472A	公开（授权）日	2010.11.24
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	曾江涛;李国荣;郑嘹赢;张望重;张阳红;殷庆瑞
主分类号	C04B35/495(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/495(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)I
专利有效期	钙钛矿结构高居里温度无铅压电陶瓷及其制备方法至钙钛矿结构高居里温度无铅压电陶瓷及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及钙钛矿结构高居里温度无铅压电陶瓷及其制备方法，本发明的高居里点无铅压电陶瓷，其通式由(1-x)K0.5Na0.5Nb1-ySbyO3-xK3Li2Nb5O15表示，式中0＜x≤0.10，0≤y≤0.10。本发明的材料能使用普通的碳酸盐或者氧化物原料，采用常规的陶瓷工艺制备而成。本发明制备的陶瓷具备非常高的居里温度及较好的压电性能，并且此配方不含铅，是一种环境友好的材料。