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磁控溅射靶

  • 申请号:CN200920350081.2
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司
  • 公开(公开)号:CN201634757U
  • 公开(公开)日:2010.11.17
  • 法律状态:专利权人的姓名或者名称、地址的变更
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 磁控溅射靶
申请号 CN200920350081.2 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN201634757U 公开(授权)日 2010.11.17
申请(专利权)人 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 发明(设计)人 周颖;刘丽华
主分类号 C23C14/35(2006.01)I IPC主分类号 C23C14/35(2006.01)I
专利有效期 磁控溅射靶 至磁控溅射靶 法律状态 专利权人的姓名或者名称、地址的变更
说明书摘要 本实用新型涉及镀膜设备,具体地说是一种磁控溅射靶,包括靶头、折弯波纹管组件、靶支杆、靶支座、手动螺旋升降组件、接头组件、驱动器及靶挡板组件,靶支杆可上下往复移动地安装在靶支座上,位于靶支座上方的靶支杆的一端通过折弯波纹管组件与靶头相连接,靶头通过折弯波纹管组件相对于靶支杆可折弯,位于靶支座下方的靶支杆上连接有安装在靶支座上的手动螺旋升降组件;驱动器安装在靶支座上,驱动器的输出端连接有相对靶支座既可转动又可随靶支杆上下往复移动的靶挡板组件;位于靶支座下方的靶支杆的另一端设有与电源连接的接头组件。本实用新型靶头在折弯波纹管组件的带动下实现折弯功能,使得一台磁控设备实现多种镀膜工艺,降低加工成本。

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