一种超临界二氧化碳吹洗硅片系统
- 申请号:CN200920350780.7
- 专利类型:实用新型
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN201632452U
- 公开(公开)日:2010.11.17
- 法律状态:
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专利详情
专利名称 | 一种超临界二氧化碳吹洗硅片系统 | ||
申请号 | CN200920350780.7 | 专利类型 | 实用新型 |
公开(公告)号 | CN201632452U | 公开(授权)日 | 2010.11.17 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 王磊;惠瑜;高超群;景玉鹏 |
主分类号 | B08B5/02(2006.01)I | IPC主分类号 | B08B5/02(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I |
专利有效期 | 一种超临界二氧化碳吹洗硅片系统 至一种超临界二氧化碳吹洗硅片系统 | 法律状态 | |
说明书摘要 | 本实用新型公开了一种超临界二氧化碳吹洗硅片系统,包括:氟化氢源、液态二氧化碳源、第一流量控制阀、第二流量控制阀、加热器、高压泵、高压密闭腔室(5)、针型阀(8)、溢出腔(9)、碱性溶液(10)、过滤纯化装置(11)和冷凝系统(12)。利用本实用新型,提高了杂质去除率,减少了硅片的整体缺陷,提高了最终成品率。? |
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