专利详情

专利名称	镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器
申请号	CN201120300071.5	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN202192235U	公开（授权）日	2012.04.18
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	罗天骄;杨院生;冯小辉;李应举;付俊伟
主分类号	B22D11/055(2006.01)I	IPC主分类号	B22D11/055(2006.01)I;B22D11/049(2006.01)I
专利有效期	镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器至镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器	法律状态
说明书摘要	本实用新型属于金属材料制备领域，具体涉及一种镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器。结晶器外壳的顶部设置结晶器上盖，结晶器外壳和结晶器上盖的中心孔位置设有结晶器内套，结晶器外壳和结晶器上盖之间形成冷却水槽，冷却水槽中设置励磁线圈，结晶器外壳的外侧设置与冷却水槽相通的进水口，结晶器内套上开有与冷却水槽相通的二次冷却水喷孔。结晶器外壳和上盖为不锈钢，结晶器内套为4XXX系铝合金，且结晶器内套的上口高出上盖上表面，上口和下口间呈喇叭状。本实用新型用于镁合金的半连续铸造，利用其产生的脉冲电磁力作用于结晶器内部镁合金熔体，使熔体产生强制对流，碎化粗大枝晶，增加形核率，镁合金半连续铸棒晶粒细化效果明显。