专利详情

专利名称	一种存储阵列单元信息读取方法及系统
申请号	CN201110391799.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102420009A	公开（授权）日	2012.04.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	陈巍巍;陈岚;龙爽;杨诗洋;崔雅洁
主分类号	G11C7/12(2006.01)I	IPC主分类号	G11C7/12(2006.01)I
专利有效期	一种存储阵列单元信息读取方法及系统至一种存储阵列单元信息读取方法及系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种存储阵列单元信息读取方法和系统，同时选通包括被读取单元的位线在内的多根连续位线，在被读取存储单元的一根位线施加第一读取电压，另一根位线施加高于所述第一读取电压的第二读取电压，与被读取存储单元施加第二读取电压的位线相邻的连续多根位线施加与所述第二读取电压相等的电压，比较被读取存储单元上产生的电流与预设电流值确定所述被读取存储单元的存储信息。进行信息读取时，只在被读取存储单元上产生读取电流，与施加高电压的位线相邻的其他存储单元上不存在电位差，因此不会产生泄露电流，提高了存储单元的存储信息读取精度。