专利详情

专利名称	一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法
申请号	CN201110355252.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102420270A	公开（授权）日	2012.04.18
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	廖清君;胡晓宁;马伟平;邢雯;陈昱;林春;王建新
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I
专利有效期	一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法至一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法。本发明中的电极为一种延展电极，该电极将pn结注入区的电极延展至非注入区的复合钝化层表面。该方法采用负性光致抗蚀剂光刻后获得顶部大底部小的光刻胶台面，利用薄膜生长时光刻胶台面的图形阴影效应，在碲镉汞芯片pn结注入区周围生长一层厚度缓变的复合钝化层，然后生长一层电极，将电极延伸至远离pn结注入区位置。采用本发明中的方法制备的电极可以保证pn结注入区内的电极与复合钝化层表面电极的电学连通性达到100％，同时将用于倒焊互连的铟柱制备在电极的延伸处，远离pn结注入区位置，保证倒焊互连时的压力承受点远离pn结，提高器件性能。