专利详情

专利名称	一种制作晶硅高效太阳能电池的方法
申请号	CN200910083501.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101882643A	公开（授权）日	2010.11.10
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	贾锐;朱晨昕;陈晨;李维龙;李昊峰;张培文;刘明;刘新宇;叶甜春
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种制作晶硅高效太阳能电池的方法至一种制作晶硅高效太阳能电池的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制作晶硅高效太阳能电池的方法，包括：在晶硅基片表面制备绒面结构；采用扩散法在晶硅基片上形成PN结结构；利用薄膜沉积技术及热处理在表面形成硅纳米晶结构；利用等离子增强化学气相淀积法在基片表面淀积氮化硅减反膜；丝网印刷完成正、负电极的制作；合金化，最终形成表面硅纳米晶调制的太阳能电池。本发明利用由大生产线上的工艺手段制备出的PN结晶硅太阳能电池，在其表面制备硅纳米晶，通过硅纳米晶的能带调节作用，使晶硅电池能更有效利用太阳光波长，进而提高晶硅电池的效率。本发明与现有成熟的大规模生产技术相兼容，具有生产工艺简单，易于产业化等特点，可以有效地降低成本，获得高效晶硅太阳能电池。