专利详情

专利名称	一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法
申请号	CN201010182276.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101872803A	公开（授权）日	2010.10.27
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	叶振华;尹文婷;王建新;方维政;杨建荣;陈昱;林春;胡晓宁;丁瑞军;何力
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法至一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法，它涉及光电探测器材料检测技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)的方法，来显现红外CZT衬底缺陷的技术方案，巧妙地运用了ICP增强RIE刻蚀速率的精确可控性，以及在红外CZT衬底正常区域和缺陷区域的不一致性，有效解决了常规缺陷显现方法存在去除衬底速率不可控、缺陷轮廓菱角模糊的问题。本发明方法具有工艺简单、稳定性好以及显现清晰的特点。