专利详情

专利名称	一种倾斜式超大高宽比AFM探针及其制备方法
申请号	CN201110366696.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102435785A	公开（授权）日	2012.05.02
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	吴东岷;李加东
主分类号	G01Q60/38(2010.01)I	IPC主分类号	G01Q60/38(2010.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种倾斜式超大高宽比AFM探针及其制备方法至一种倾斜式超大高宽比AFM探针及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示了微纳机械传感器领域中的一种倾斜式超大高宽比AFM探针及其制备方法。该探针包括倾斜式针尖、悬臂梁及主体支撑结构，其特征在于采用顶层硅厚度等于AFM探针悬臂梁厚度的（100）型SOI硅片为制备原料；首先在SOI硅片的顶层硅上应用湿法刻蚀工艺形成AFM探针的悬臂梁，之后在位于悬臂梁顶端的(111)面上制备催化剂颗粒；然后采用化学气相沉积工艺进行硅纳米线的生长形成AFM探针的针尖，得到目标产物。本发明采用硅纳米线生长工艺形成探针的针尖，突破了当前工艺对倾斜式超大高宽比AFM探针制备的限制，真正实现了倾斜式超大高宽比AFM探针可控制备。?