专利详情

专利名称	一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法
申请号	CN201110302464.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102437166A	公开（授权）日	2012.05.02
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	时文华
主分类号	H01L27/146(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/146(2006.01)I
专利有效期	一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法至一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种非制冷红外探测系统像素阵列的制作方法，包括以下步骤：一、在SOI的顶层表面通过光刻结合刻蚀工艺将顶层材料刻穿至到达SOI的埋层材料，在所述SOI的埋层表面形成若干个独立的热隔离柱；二、将所述步骤一中形成的热隔离柱与衬底键合；三、去除SOI的底层材料，露出SOI的埋层底面；四、采用光刻结合刻蚀工艺，对所述步骤三中非热隔离柱区域对应的SOI的埋层进行刻蚀至刻穿，形成若干个独立的像素点；五、采用电子束蒸镀方法，在所述步骤四的像素点表面制备可调谐热光带通滤波器。本发明通过引入键合工艺，在实现像素点之间热隔离的同时，避开使用牺牲层，制造工艺简单可靠，更有利于技术的推广普及。?