专利详情

专利名称	测量半导体激光器腔面温度的测试系统
申请号	CN201010564571.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102062647A	公开（授权）日	2011.05.18
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	裘利平;饶兰
主分类号	G01K11/30(2006.01)I	IPC主分类号	G01K11/30(2006.01)I
专利有效期	测量半导体激光器腔面温度的测试系统至测量半导体激光器腔面温度的测试系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种测量半导体激光器腔面温度的测试系统，包括：一三维微位移平台；一温控平台位于三维微位移平台的上面，温控平台上安装有样品架；一激光头模块位于温控平台的正上方；一滤波片位于激光头模块与温控平台之间的光路上，使滤波片对被测样品发射的激光形成高反，对激光头模块发射的激光形成高透；一脉冲电流源向激光头模块供电，使激光头模块发出一脉冲激光；一直流电流源向温控平台供电；一直流电流源为被测样品提供工作电流；一监控CCD监控被测样品，利于将激光头模块发出的激光光斑照射于被测样品腔面上；一三维微位移平台控制器控制三维微位移平台的三维移动；一锁相放大器的输入端与激光头模块的输出端连接；一台式万用表的输入端与锁相放大器的输出端连接。