
一种细晶钽钪酸铅热释电陶瓷材料的制备方法
- 申请号:CN201010564671.2
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号:CN102060533A
- 公开(公开)日:2011.05.18
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种细晶钽钪酸铅热释电陶瓷材料的制备方法 | ||
申请号 | CN201010564671.2 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102060533A | 公开(授权)日 | 2011.05.18 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 董显林;刘伟;王根水;姚春华 |
主分类号 | C04B35/495(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/495(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
专利有效期 | 一种细晶钽钪酸铅热释电陶瓷材料的制备方法 至一种细晶钽钪酸铅热释电陶瓷材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种采用液相法制粉、两步法烧结工艺制备细晶钽钪酸铅热释电陶瓷材料的方法,是首先采用液相法制备Pb(Sc0.5Ta0.5)O3粉体,然后将粉体进行球磨混合后烘干,加入粘结剂后经陈化、过筛、成型等步骤制得坯体;最后将坯体采用两步法烧结而成。本发明的制备方法具有工艺简单、无需特殊设备、成本低等优点,适合规模化生产,能满足工业化需求。所制得的钽钪酸铅热释电陶瓷材料不仅具有致密度高、晶粒细小、介电常数适中、热释电系数大等优点,而且在700V/mm偏置电场时,样品的热释电探测率优值可达到72.9×10-5Pa-1/2,能满足应用在非致冷红外焦平面阵列探测器中的性能要求。 |
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