专利详情

专利名称	异质掩埋激光器的制作方法
申请号	CN201010196147.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101888060A	公开（授权）日	2010.11.17
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王宝军;朱洪亮;赵玲娟;王圩;潘教青;陈娓兮;梁松;边静;安心;王伟
主分类号	H01S5/227(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/227(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I
专利有效期	异质掩埋激光器的制作方法至异质掩埋激光器的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种异质掩埋激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长有源层，作为激光器件的发射区；步骤2：在有源层的表面生长SiO2层，在刻蚀及MOCVD生长过程中起保护作用；步骤3：光刻，在SiO2层表面的两侧，将SiO2层和有源层刻蚀掉，使中间形成微米级脊型台面，光刻后的有源层成为激光器件的发射区；步骤4：用MOCVD技术，在脊型台面的两侧依次生长本征InP层、反向P-InP结电流限制层和N-InP结电流限制层，使脊型台面上形成沟道；步骤5：去掉脊型台面表面上的SiO2层；步骤6：用MOCVD技术，在沟道内、去掉SiO2层的脊型台面上及N-InP结电流限制层的表面生长P-InP电流注入层，完成器件的制作。