专利详情

专利名称	栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法
申请号	CN201010534772.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102064261A	公开（授权）日	2011.05.18
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	刘志强;郭恩卿;伊晓燕;汪炼成;王国宏;李晋闽
主分类号	H01L33/36(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法至栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种栅极调制垂直结构GaN基发光二极管结构，包括：一导电衬底；一p型GaN层，该p型GaN层制作在导电衬底上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在p型GaN层上；一n型GaN层，该n型GaN层制作在多量子阱有源层上；一N电极，该N电极制作在n型GaN层上面的中间；一栅极绝缘层，该栅极绝缘层制作在n型GaN层上没有N电极的部分，并围绕N电极；一栅电极，制作在栅极绝缘层上。