专利详情

专利名称	一种制造半导体器件的方法
申请号	CN200910237545.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102064133A	公开（授权）日	2011.05.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王文武;陈世杰;王晓磊;韩锴;陈大鹏
主分类号	H01L21/8234(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I
专利有效期	一种制造半导体器件的方法至一种制造半导体器件的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种制造半导体器件的方法。在金属栅电极材料沉积后，淀积一层对氧分子具有催化功能的氧分子催化层，之后采取低温PMA退火工艺将退火氛围中的氧分子分解为更具活性的氧原子。这些氧原子透过金属栅扩散进高k栅介质薄膜中，并补偿高k薄膜中的氧空位，从而达到降低高k薄膜中的氧空位，提高高k薄膜质量的目的。本发明不仅可以实现高k栅介质薄膜的氧空位减少及缺陷降低，而且还可以避免传统PDA高温工艺导致的低介电常数SiOx界面层的生长，从而可以有效地控制整个栅介质层的EOT，并满足MOS器件继续按比例缩小的目的。同时，本发明还提供一种根据所述方法获得的半导体器件。