专利详情

专利名称	稀土或Bi、Cr、Ti掺杂IIA族稀土氧化物发光材料及其制备方法
申请号	CN201010512595.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102021652A	公开（授权）日	2011.04.20
申请（专利权）人	中国科学院安徽光学精密机械研究所	发明（设计）人	张庆礼;殷绍唐;孙敦陆;宁凯杰;高进云;刘文鹏;罗建乔
主分类号	C30B29/22(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/22(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I
专利有效期	稀土或Bi、Cr、Ti掺杂IIA族稀土氧化物发光材料及其制备方法至稀土或Bi、Cr、Ti掺杂IIA族稀土氧化物发光材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了稀土或Bi、Cr、Ti掺杂的IIA族稀土氧化物发光材料及其熔体法晶体生长方法，按比例将配制好的原料充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长；获得的分子式为(D2xD′2y)ARE2(1-x-y-z)RE′2zO4、(D4xD′4y)A3RE4(1-x-y-z)RE′4zO9、(D2xD′2y)A4RE2(1-x-y-z)RE′2zO7的发光材料，本发光材料有高的阻止本领、高的发光效率和快衰减，可用作激光工作物质和高能射线、高能粒子等的探测材料。