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在等离子体浸没离子注入中对不同质量离子分离的装置

  • 申请号:CN200910093883.4
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN102021524A
  • 公开(公开)日:2011.04.20
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 在等离子体浸没离子注入中对不同质量离子分离的装置
申请号 CN200910093883.4 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102021524A 公开(授权)日 2011.04.20
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 刘杰;汪明刚;夏洋;李超波;陈瑶;赵丽莉
主分类号 C23C14/48(2006.01)I IPC主分类号 C23C14/48(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I
专利有效期 在等离子体浸没离子注入中对不同质量离子分离的装置 至在等离子体浸没离子注入中对不同质量离子分离的装置 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种在等离子体浸没离子注入中对不同质量离子分离的装置,该装置包括球形腔室、基片台、球形腔室内的高频电场和球形腔室内的恒定磁场,其中:球形腔室由两个对称的D形电极构成,该两个D形电极直边重合、上下叠加,且在连接处不导电,中间通过绝缘材料隔开;球形腔室内的高频电场,由所述两个D形电极产生;球形腔室内的腔室内恒定磁场,通过在所述球形腔室外侧加永磁铁而产生;基片台位于垂直于磁场平面靠近球形腔室内壁的位置。利用本发明,将自动稳相原理应用到等离子体浸没离子注入技术中,从而实现浸没离子注入的质量分离,解决了浸没离子注入无法实现单一离子单一能量注入的问题。

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