专利详情

专利名称	一种单层高活性二氧化钛薄膜的制备方法
申请号	CN200910187565.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102021551A	公开（授权）日	2011.04.20
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	成会明;王学文;刘岗;潘剑;李峰;逯高清
主分类号	C23C22/34(2006.01)I	IPC主分类号	C23C22/34(2006.01)I
专利有效期	一种单层高活性二氧化钛薄膜的制备方法至一种单层高活性二氧化钛薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及在不同基体上形成单层高活性(001)晶面占优二氧化钛薄膜的制备方法，具体为一种通过湿化学过程在金属钛或钛合金基底上生长由单层二氧化钛颗粒组成的(001)晶面占优二氧化钛薄膜的方法，解决(001)占优二氧化钛粉体很难形成(001)面全部位于表面以及很难形成致密结合紧密薄膜的问题。将基体上装入有氢氟酸水溶液的反应釜中，经100～200℃加热处理6h～24h，可得到单层(001)晶面占优的二氧化钛薄膜。单层(001)晶面二氧化钛薄膜由锐钛矿和金红石相组成，锐钛矿和金红石相的比例从95∶5到80∶20，厚度约为10～1000nm，(001)晶面比例可控，比例从20％到91％，该薄膜具有很好的光电化学分解水能力，也可望广泛和有效的应用于光催化器件。