氧化亚锡多晶薄膜的制备方法
- 申请号：CN200910152532.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 公开(公开)号：CN102021519A
- 公开(公开)日：2011.04.20
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 氧化亚锡多晶薄膜的制备方法 | ||
| 申请号 | CN200910152532.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102021519A | 公开（授权）日 | 2011.04.20 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 曹鸿涛;梁凌燕;刘志敏 |
| 主分类号 | C23C14/30(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/30(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I |
| 专利有效期 | 氧化亚锡多晶薄膜的制备方法 至氧化亚锡多晶薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及氧化亚锡多晶薄膜的制备方法。本发明利用氧化锡(SnO2)蒸发料和电子束蒸发设备，先低温制备SnOx(1＜x＜2)非晶薄膜，再经高温真空退火处理，获得SnO多晶薄膜。本发明制备工艺简单可控，可在石英玻璃等衬底上大面积均匀成膜，且成膜重复性好。氧化亚锡为p型导电氧化物，可用于制备氧化物基光电子及电子器件。 | ||
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