半导体器件及其形成方法
- 申请号：CN201010574353.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102479821A
- 公开(公开)日：2012.05.30
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 申请号 | CN201010574353.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102479821A | 公开（授权）日 | 2012.05.30 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲 |
| 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件及其形成方法 至半导体器件及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括：半导体基体，所述半导体基体位于绝缘层上，且所述绝缘层位于半导体衬底上；源漏区，其接于所述半导体基体的两个相对的第一侧面；栅极，其位于所述半导体基体的两个相对的第二侧面上；以及背栅，其位于所述半导体衬底上并嵌于所述绝缘层和所述半导体基体中。根据本发明，利于减小半导体器件中的短沟道效应、源漏区电阻及寄生电容，并可调节半导体器件的阈值电压。 | ||
交易流程
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专利 -
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