专利详情

专利名称	加速度和压力传感器单硅片集成芯片及制作方法
申请号	CN201010553946.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102476786A	公开（授权）日	2012.05.30
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李昕欣;王家畴
主分类号	B81B7/04(2006.01)I	IPC主分类号	B81B7/04(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;G01P15/12(2006.01)I;G01L9/04(2006.01)I
专利有效期	加速度和压力传感器单硅片集成芯片及制作方法至加速度和压力传感器单硅片集成芯片及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种加速度和压力传感器单硅片集成芯片及制作方法。该芯片包括一块单晶硅基片和均集成在该单晶硅基片上的加速度传感器及压力传感器；采用单硅片单面微加工方法把压力和加速度传感器集成在该单晶硅基片的同一表面，通过侧壁根部横向刻蚀技术形成厚度均匀可控的单晶硅薄膜和嵌入式腔体，并在单晶硅薄膜上表面合理分布压阻制作压力传感器；加速度传感器采用双悬臂梁和质量块结构，通过对单晶硅薄膜的后续选择性电镀和刻蚀，加工并释放质量块和悬臂梁，采用电镀铜方法增加质量块质量，提高灵敏度。本发明结构简单，用非键合的单硅片微机械工艺实现集成芯片单面结构制作，满足了TPMS应用中对传感器芯片小尺寸、低成本及大批量生产的要求。