微电极阵列传感器
- 申请号：CN201110430312.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN102495121A
- 公开(公开)日：2012.06.13
- 法律状态：实质审查的生效
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 微电极阵列传感器 | ||
| 申请号 | CN201110430312.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102495121A | 公开（授权）日 | 2012.06.13 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 汤戎昱;裴为华;归强;李雷;陈弘达 |
| 主分类号 | G01N27/403(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/403(2006.01)I;G01N27/327(2006.01)I |
| 专利有效期 | 微电极阵列传感器 至微电极阵列传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种微电极阵列传感器，包括：一衬底，该衬底上面的两侧分别有一第一反型区和第二反型区；一源极，制作在第一反型区内，该源极有一引出导线；一输出极，制作在第二反型区内，该输出极有一引出导线；一栅氧层，该栅氧层制作在衬底的表面，并暴露出源极和输出极；多组电极功能区，制作在栅氧层上，源极和输出极之间，该多组电极功能区均有引出导线；一绝缘层，该绝缘层覆盖于栅氧层及多组电极功能区的表面。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言