一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的方法
- 申请号：CN201110447762.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号：CN102492985A
- 公开(公开)日：2012.06.13
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的方法 | ||
| 申请号 | CN201110447762.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102492985A | 公开（授权）日 | 2012.06.13 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 杨芳;汪志明;冯加贵;郭建东 |
| 主分类号 | C30B25/16(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/16(2006.01)I;C30B25/20(2006.01)I;C30B29/32(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的方法 至一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的方法，包括：在氧气氛中于SrTiO3衬底的(110)面上共沉积Ti和Sr，同时对样品进行反射式高能电子衍射的原位实时监测；根据反射式高能电子衍射的特征衍射条纹的图案的变化来调整Sr束流和Ti束流的比例，使SrTiO3薄膜表面的重构始终围绕SrTiO3衬底表面的重构进行转换。 | ||
交易流程
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