专利详情

专利名称	GaN基薄膜芯片的制造方法
申请号	CN201110430261.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102496667A	公开（授权）日	2012.06.13
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	刘硕;郭恩卿;伊晓燕;王军喜;李晋闽
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I;H01L21/78(2006.01)I
专利有效期	GaN基薄膜芯片的制造方法至GaN基薄膜芯片的制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种GaN基薄膜芯片的制造方法，包括：1)在一蓝宝石衬底上生长外延层，该外延层包括N型层、活性层和P型层；2)在外延层上制作反射层；3)在反射层上涂覆第一树脂层；4)在第一树脂层上粘合第一临时基板，并固化；5)对蓝宝石衬底进行激光剥离，露出外延层的一面；6)在露出的外延层的一面涂覆第二树脂层；7)在第二树脂层粘合第二临时基板，并固化；8)去除第一临时基板和第一树脂层，露出反射层；9)在反射层上电镀永久支撑基板；10)去除第二临时基板和第二树脂层；11)粗化激光剥离掉蓝宝石衬底后的外延层的表面；12)在粗化后的外延层的表面制作电极。