专利详情

专利名称	一种纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法
申请号	CN201010574384.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102487123A	公开（授权）日	2012.06.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	龙世兵;刘明;刘琦;吕杭炳;陈宝钦;牛洁斌;王艳花;张康玮
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I
专利有效期	一种纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法至一种纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及半导体存储器技术领域，公开了一种利用HSG电子抗蚀剂的纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法，该存储器主要包括：第一导电电极、由HSQ电子束抗蚀剂经电子束曝光和显影后形成的通孔及第一阻变材料、第二阻变材料、第二金属纳米层、第三阻变材料、第三导电电极。利用HSQ电子束抗蚀剂曝光显影后留下的部分作为通孔，通孔的直径可小至纳米量级，通孔底部未完全显影掉的HSQ电子束抗蚀剂可作为阻变材料的一部分或全部。利用本发明，可获得器件面积小、产率高、性能良好的电阻转变存储器，而且这种半导体存储器易于大规模集成和实用化。