一种背面点接触晶体硅太阳电池
- 申请号：CN201120235560.7
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院上海技术物理研究所
- 公开(公开)号：CN202259320U
- 公开(公开)日：2012.05.30
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 一种背面点接触晶体硅太阳电池 | ||
| 申请号 | CN201120235560.7 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN202259320U | 公开（授权）日 | 2012.05.30 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 窦亚楠;何悦;王涛;江作;王建禄;褚君浩 |
| 主分类号 | H01L31/0216(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种背面点接触晶体硅太阳电池 至一种背面点接触晶体硅太阳电池 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本专利公开了一种背面点接触晶体硅太阳电池，该电池采用氮化硅/氧化铝双层膜钝化前表面，采用氧化铝/氮化硅双层膜钝化背表面，背面采用点接触导出电流。其制备方法包括氮化硅的制备和氧化铝的制备，背面氧化铝/氮化硅的开孔及损伤层的去除。本专利电池具有表面钝化效果好，背表面增强对红外光的内反射，前表面双层抗反射涂层减少表面反射，抗UV辐射性能好，光电转换效率高等优点。 | ||
交易流程
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